MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 20 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1390Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI7288DP-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Type de boîtier

PowerPAK SO-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

15.6 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

10 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

2

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 11,65

€ 1,165 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 20 A 40 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 11,65
20€ 23,29
30€ 34,94
40€ 46,59
50€ 58,24
60€ 69,88
70€ 81,53
80€ 93,18
90€ 104,83
100€ 110,65
110€ 121,71
120€ 132,78
130€ 143,84
140€ 154,91
150€ 165,97

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,165€ 11,65
100 - 240€ 1,106€ 11,06
250 - 490€ 0,932€ 9,32
500 - 990€ 0,874€ 8,74
1000+€ 0,815€ 8,15

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N

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8

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

15.6 W

Configuration du transistor

Isolated

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±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Longueur

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