MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 20 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
PowerPAK SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
15.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1 637,49
€ 0,546 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Isolated
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±20 V
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5mm
Matériau du transistor
Si
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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