Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
15.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Hauteur
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,67
€ 0,467 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
15.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Hauteur
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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