MOSFET Vishay canal P, Micro FOOT 4,3 A 20 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
MICRO FOOT
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
82 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.268mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 48,09
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 48,09
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,24 | € 4,81 |
| 1000 - 1980 | € 0,218 | € 4,37 |
| 2000 - 4980 | € 0,205 | € 4,09 |
| 5000+ | € 0,192 | € 3,84 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
MICRO FOOT
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
82 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.268mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.