MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.8 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.55mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1 142,50
€ 0,457 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
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