Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.8 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 76,21
€ 0,762 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 76,21
€ 0,762 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 180 | € 0,762 | € 15,24 |
200 - 480 | € 0,702 | € 14,05 |
500 - 980 | € 0,552 | € 11,03 |
1000+ | € 0,521 | € 10,43 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.8 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit