MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1444PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SI9407BDY-T1-GE3
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

3.8 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

150 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

14,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.55mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 76,21

€ 0,762 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 76,21

€ 0,762 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 180€ 0,762€ 15,24
200 - 480€ 0,702€ 14,05
500 - 980€ 0,552€ 11,03
1000+€ 0,521€ 10,43

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

3.8 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

150 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

14,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.55mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus