MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1444PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SI9407BDY-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

3.8 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

150 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

5000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

14,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Hauteur

1.55mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 34,16

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches
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Disponible en multiples de 20.

Production -

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100

Disponible en multiples de 20
100€ 34,16
120€ 40,99
140€ 47,83
160€ 54,66
180€ 61,49
200€ 68,32
220€ 75,15
240€ 81,99
260€ 88,82
280€ 95,65
300€ 102,48
320€ 109,32
340€ 116,15
360€ 122,98
380€ 129,81

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150 mΩ

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1V

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Hauteur

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