Transistor MOSFET Vishay canal N, SOIC 5,3 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 919-5873Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI9945BDY-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5.3 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

72 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

13 nC V @ 10

Largeur

4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

1.5mm

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

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MOSFET Vishay canal N, SOIC 5,3 A 60 V, 8 broches
Prix ​​sur demandeEach (On a Reel of 2500) (hors TVA)
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Prix ​​sur demande

Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

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N

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5.3 A

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Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

72 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

13 nC V @ 10

Largeur

4mm

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