MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
EF Series
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
123 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.65mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
80 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N avec diode rapide, série EF, Vishay Semiconductor
Temps de récupération inverse, charge de recouvrement inverse, et courant de récupération inverse réduits
Facteur de mérite (FOM) faible
Faible capacité d'entrée
Robustesse améliorée grâce à la charge de recouvrement inverse faible
Très faible charge de grille (QG)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2 827,65
€ 2,828 Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
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±30 V
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1
Largeur
9.65mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
80 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N avec diode rapide, série EF, Vishay Semiconductor
Temps de récupération inverse, charge de recouvrement inverse, et courant de récupération inverse réduits
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