MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 3 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
D Series
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.38mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 33,98
€ 0,68 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,68 | € 33,98 |
| 100 - 200 | € 0,516 | € 25,80 |
| 250+ | € 0,476 | € 23,81 |
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
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±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
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