MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 5,3 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.3 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
D Series
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.83mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.63mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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Type de montage
Through Hole
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
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1
Longueur
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Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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