MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 2 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2660Marque: VishayN° de pièce Mfr: SIHF9620S-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

2 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

40 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

22 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 8,76

€ 0,876 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 2 A 200 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 8,76
20€ 17,52
30€ 26,29
40€ 35,05
50€ 43,81
60€ 52,57
70€ 61,34
80€ 70,10
90€ 78,86
100€ 65,89
110€ 72,48
120€ 79,07
130€ 85,66
140€ 92,25
150€ 98,84

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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100 - 240€ 0,659€ 6,59
250 - 490€ 0,544€ 5,44
500 - 990€ 0,482€ 4,82
1000+€ 0,459€ 4,59

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P

Courant continu de Drain maximum

2 A

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

40 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

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1

Taille

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