Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.82mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 107,10
€ 2,142 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 107,10
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.82mm
Pays d'origine
China
Détails du produit