Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Série
D Series
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
278 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
44,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 61,26
€ 2,45 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 61,26
€ 2,45 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,45 | € 61,26 |
| 50 - 100 | € 2,303 | € 57,56 |
| 125+ | € 2,082 | € 52,05 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Série
D Series
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
278 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
44,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Détails du produit


