MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 6 A 400 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Série
D Series
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
9 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.51mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 25,91
€ 0,518 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,518 | € 25,91 |
| 100 - 200 | € 0,409 | € 20,46 |
| 250+ | € 0,363 | € 18,13 |
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Série
D Series
Type de montage
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
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Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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