MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 8,7 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 787-9181Marque: VishayN° de pièce Mfr: SIHP8N50D-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8.7 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Série

D Series

Type de boîtier

TO-220AB

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

156 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.51mm

Charge de Grille type @ Vgs

15 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4.65mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

9.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 7,19

€ 1,439 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 8,7 A 500 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 7,19
10€ 14,39
15€ 21,58
20€ 28,78
25€ 35,97
30€ 43,16
35€ 50,36
40€ 57,55
45€ 64,75
50€ 64,89
55€ 71,38
60€ 77,87
65€ 84,36
70€ 90,85
75€ 97,34

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,439€ 7,19
50 - 120€ 1,298€ 6,49
125 - 245€ 1,152€ 5,76
250 - 495€ 1,082€ 5,41
500+€ 1,011€ 5,06

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8.7 A

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500 V

Série

D Series

Type de boîtier

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

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156 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.51mm

Charge de Grille type @ Vgs

15 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4.65mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

9.01mm

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