MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 27 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 814-1272Marque: VishayN° de pièce Mfr: SIR416DP-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

27 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Type de conditionnement

PowerPAK SO-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

4.2 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

69 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.25mm

Charge de Grille type @ Vgs

59 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.26mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.12mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 10,62

€ 1,062 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 27 A 40 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 10,62
20€ 21,24
30€ 31,86
40€ 42,47
50€ 53,09
60€ 63,71
70€ 74,33
80€ 84,95
90€ 95,57
100€ 100,02
110€ 110,02
120€ 120,03
130€ 130,03
140€ 140,03
150€ 150,03

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110€ 110,02
120€ 120,03
130€ 130,03
140€ 140,03
150€ 150,03

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,062€ 10,62
100 - 240€ 1,00€ 10,00
250 - 490€ 0,903€ 9,03
500 - 990€ 0,849€ 8,50
1000+€ 0,797€ 7,97

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N

Courant continu de Drain maximum

27 A

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40 V

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CMS

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8

Résistance Drain Source maximum

4.2 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

69 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Longueur

6.25mm

Charge de Grille type @ Vgs

59 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.26mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.12mm

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