MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 19 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
PowerPAK SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
4.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.89mm
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.04mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1 287,98
€ 0,429 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
4.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.89mm
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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