MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 100 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.25mm
Charge de Grille type @ Vgs
147 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.26mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.12mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 115,25
€ 2,305 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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€ 2,305 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,305 | € 11,52 |
| 125 - 245 | € 2,085 | € 10,43 |
| 250 - 495 | € 1,963 | € 9,81 |
| 500+ | € 1,84 | € 9,20 |
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.25mm
Charge de Grille type @ Vgs
147 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.26mm
Température de fonctionnement minimum
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Taille
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