Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type d'emballage
PowerPAK 1212-8
Séries
ThunderFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
52 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
18,1 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.4mm
Longueur
3.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.12mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, tension moyenne/ThunderFET® , Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1 518,90
€ 0,506 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type d'emballage
PowerPAK 1212-8
Séries
ThunderFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
52 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
18,1 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.4mm
Longueur
3.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.12mm
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