MOSFET Vishay canal N/P, PowerPAK 1212-8 double 4 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 228-2925PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SiS590DN-T1-GE3
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de conditionnement

PowerPAK 1212-8 double

Séries

TrenchFET

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

0,167 O, 0,251 O

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5 V, 2.5 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 87,60

€ 0,876 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, PowerPAK 1212-8 double 4 A 100 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 87,60

€ 0,876 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, PowerPAK 1212-8 double 4 A 100 V, 8 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 240€ 0,876€ 8,76
250 - 490€ 0,792€ 7,92
500 - 990€ 0,746€ 7,46
1000+€ 0,699€ 6,99

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de conditionnement

PowerPAK 1212-8 double

Séries

TrenchFET

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

0,167 O, 0,251 O

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5 V, 2.5 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus