MOSFET Vishay canal N, PowerPAK 1212-8 40 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 768-9307PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SISA04DN-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

40 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

TrenchFET

Type de conditionnement

PowerPAK 1212-8

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

3.1 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.1V

Dissipation de puissance maximum

52 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-16 V, +20 V

Largeur

3.15mm

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

51 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Taille

1.12mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 25,13

€ 1,256 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, PowerPAK 1212-8 40 A 30 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 2
20€ 25,13
22€ 27,64
24€ 30,16
26€ 32,67
28€ 35,18
30€ 37,69
32€ 40,21
34€ 42,72
36€ 45,23
38€ 47,75
40€ 50,26
42€ 52,77
44€ 55,28
46€ 57,80
48€ 60,31

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
20 - 98€ 1,256€ 2,51
100 - 198€ 1,128€ 2,26
200 - 498€ 1,064€ 2,13
500+€ 0,999€ 2,00

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N

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TrenchFET

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8

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3.1 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.1V

Dissipation de puissance maximum

52 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-16 V, +20 V

Largeur

3.15mm

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

51 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

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