MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 23 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
92 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.78mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 93,17
€ 0,466 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 93,17
€ 0,466 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
200
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,466 | € 9,32 |
| 500 - 980 | € 0,412 | € 8,24 |
| 1000 - 1980 | € 0,354 | € 7,08 |
| 2000+ | € 0,295 | € 5,89 |
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VishayType de canal
P
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23 A
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Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
92 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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