MOSFET Vishay canal N, SOT-23 6 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
SQ Rugged
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
54 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Standard automobile
AEC-Q101
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
• Options de boîtier innovantes à gain de place
Approvals
AEC-Q101
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
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€ 7,52
€ 0,752 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,752 | € 7,52 |
| 100 - 240 | € 0,737 | € 7,37 |
| 250 - 490 | € 0,58 | € 5,80 |
| 500 - 990 | € 0,368 | € 3,68 |
| 1000+ | € 0,331 | € 3,31 |
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
SQ Rugged
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
54 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Standard automobile
AEC-Q101
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
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