Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
7.4 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
TSOP-6
Séries
SQ Rugged
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
78 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
3.1mm
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 17,07
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 17,07
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
7.4 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
TSOP-6
Séries
SQ Rugged
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
78 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
5000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
3.1mm
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit