MOSFET Vishay canal P, SOIC 17 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 819-3917Marque: VishayN° de pièce Mfr: SQ4401EY-T1_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

17 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

SQ Rugged

Type de boîtier

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

24 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

7.14 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

74 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

1.55mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 22,83

€ 2,283 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOIC 17 A 40 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 22,83
20€ 45,66
30€ 68,48
40€ 91,31
50€ 91,29
60€ 109,55
70€ 127,81
80€ 146,06
90€ 164,32
100€ 159,73
110€ 175,70
120€ 191,67
130€ 207,65
140€ 223,62
150€ 239,59

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 2,283€ 22,83
50 - 90€ 1,826€ 18,26
100 - 240€ 1,597€ 15,97
250 - 490€ 1,482€ 14,82
500+€ 1,231€ 12,31

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24 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

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Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Hauteur

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