MOSFET Vishay canal P, SOIC 6,2 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 819-3920PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SQ4431EY-T1_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.2 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

SQ Rugged

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

52 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

6 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

1.55mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 64,54

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOIC 6,2 A 30 V, 8 broches
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Disponible en multiples de 20.

Production -

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100

Disponible en multiples de 20
100€ 64,54
120€ 77,44
140€ 90,35
160€ 103,26
180€ 116,16
200€ 129,07
220€ 141,98
240€ 154,89
260€ 167,79
280€ 180,70
300€ 193,61
320€ 206,51
340€ 219,42
360€ 232,33
380€ 245,24

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P

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SQ Rugged

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SOIC W

Type de montage

CMS

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8

Résistance Drain Source maximum

52 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

6 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

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