Transistor MOSFET Vishay canal P, A-263 110 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-263
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.41mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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P
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-60 V
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
9.65mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
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