MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 110 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-5014Marque: VishayN° de pièce Mfr: SUM110P06-08L-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

110 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3.75 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

160 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 16,80

€ 3,359 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 110 A 60 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 16,80
10€ 33,59
15€ 50,39
20€ 67,19
25€ 71,37
30€ 85,65
35€ 99,92
40€ 114,20
45€ 128,47
50€ 134,22
55€ 147,64
60€ 161,06
65€ 174,49
70€ 187,91
75€ 201,33

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 3,359€ 16,80
25 - 45€ 2,855€ 14,27
50 - 120€ 2,684€ 13,42
125 - 245€ 2,521€ 12,60
250+€ 2,016€ 10,08

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P

Courant continu de Drain maximum

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3.75 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

160 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

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Taille

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

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