Transistor MOSFET Vishay canal N, A-263 10,4 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10.4 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de conditionnement
TO-263
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
462 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
9.652mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.826mm
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
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150000 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
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