MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 45 A 250 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-5026Marque: VishayN° de pièce Mfr: SUM45N25-58-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

45 A

Tension Drain Source maximum

250 V

Type de conditionnement

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

58 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3.75 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

95 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Transistor MOSFET Vishay canal N, A-263 10,4 A 250 V, 3 broches
Transistor MOSFET Vishay canal N, A-263 10,4 A 250 V, 3 brochesMarque: Vishay
Prix ​​sur demandeEach (In a Pack of 5) (hors TVA)

€ 3,78

€ 3,78 Each (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 45 A 250 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 3,78
2€ 7,56
3€ 11,34
4€ 15,12
5€ 18,90
6€ 22,68
7€ 26,46
8€ 30,23
9€ 34,01
10€ 34,03
11€ 37,43
12€ 40,83
13€ 44,23
14€ 47,64
15€ 51,04

€ 3,78

€ 3,78 Each (hors TVA)

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9€ 34,01
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11€ 37,43
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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 3,78
10 - 49€ 3,40
50 - 99€ 3,01
100 - 249€ 2,76
250+€ 2,39

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Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

45 A

Tension Drain Source maximum

250 V

Type de conditionnement

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

58 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3.75 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

95 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

4.83mm

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