Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
19 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
76 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 107,06
€ 2,141 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 107,06
€ 2,141 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,141 | € 10,71 |
125 - 245 | € 1,992 | € 9,96 |
250 - 495 | € 1,865 | € 9,33 |
500+ | € 1,494 | € 7,47 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
19 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
76 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit