Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
65 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
84 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.652mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
4.826mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 6,61
€ 3,306 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 6,61
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
65 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
84 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.652mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
4.826mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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