Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
57 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,91
€ 3,981 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 19,91
€ 3,981 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,981 | € 19,91 |
25 - 45 | € 3,423 | € 17,11 |
50 - 120 | € 2,947 | € 14,74 |
125 - 245 | € 2,788 | € 13,94 |
250+ | € 2,389 | € 11,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
57 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit