Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
85 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
105 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 58,80
€ 5,88 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 58,80
€ 5,88 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 5,88 |
| 50 - 99 | € 5,57 |
| 100 - 249 | € 5,33 |
| 250+ | € 5,05 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
85 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
105 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


