MOSFET Vishay canal P, SOT-23 185 mA 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 787-9018PMarque: VishayN° de pièce Mfr: TP0610K-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

185 mA

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

350 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

1,7 nC @ 15 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 40,13

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, SOT-23 185 mA 60 V, 3 broches
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Production -

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200

Disponible en multiples de 20
200€ 40,13
220€ 44,14
240€ 48,15
260€ 52,16
280€ 56,18
300€ 60,19
320€ 64,20
340€ 68,22
360€ 72,23
380€ 76,24
400€ 80,25
420€ 84,27
440€ 88,28
460€ 92,29
480€ 96,30

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3

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1V

Dissipation de puissance maximum

350 mW

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Largeur

1.4mm

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Si

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