MOSFET Wolfspeed canal N, A-247 60 A 1200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
52 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-5 V, +20 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
115 nC @ 20 V, 115 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.3V
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 249,21
€ 49,84 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Paquet de production (Tube)
5
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 5 - 9 | € 49,84 |
| 10 - 29 | € 48,56 |
| 30 - 59 | € 47,33 |
| 60+ | € 46,11 |
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N
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1200 V
Type de conditionnement
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Single
Tension Grille Source maximum
-5 V, +20 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
115 nC @ 20 V, 115 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.3V
Détails du produit
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Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
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• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
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