MOSFET Wolfspeed canal N, TO247-4 35 A 1000 V, 4 broches

N° de stock RS: 168-4886Marque: WolfspeedN° de pièce Mfr: C3M0065100K
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

35 A

Tension Drain Source maximum

1000 V

Type de boîtier

TO247-4

Série

C3M

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum

90 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.8V

Dissipation de puissance maximum

113,5 W

Tension Grille Source maximum

-8 V, +19 V

Matériau du transistor

SiC

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

16.13mm

Charge de Grille type @ Vgs

35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.21mm

Taille

23.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

4.8V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium, série C3M, Cree Inc.

Nouvelle technologie C3M en carbure de silicium (SiC)
Tension d'isolement drain-source minimum de 1 000 V sur toute la plage de températures d'utilisation
Nouveau boîtier à faible impédance avec source de driver
8 mm de fuite/dégagement entre le drain et la source
Commutation haute vitesse avec une faible capacité de sortie
Tension de claquage élevée avec une faible résistance drain-source à l'état passant
Résiste aux avalanches
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse

MOSFET Transistors, Cree Inc.

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€ 530,34

€ 17,678 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)

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N

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35 A

Tension Drain Source maximum

1000 V

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Série

C3M

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum

90 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.8V

Dissipation de puissance maximum

113,5 W

Tension Grille Source maximum

-8 V, +19 V

Matériau du transistor

SiC

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

16.13mm

Charge de Grille type @ Vgs

35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.21mm

Taille

23.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

4.8V

Pays d'origine

China

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Tension d'isolement drain-source minimum de 1 000 V sur toute la plage de températures d'utilisation
Nouveau boîtier à faible impédance avec source de driver
8 mm de fuite/dégagement entre le drain et la source
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