MOSFET Wolfspeed canal N, TO247-4 35 A 1000 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Série
C3M
Type de conditionnement
TO247-4
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
113,5 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +19 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
23.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
4.8V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium, série C3M, Cree Inc.
Nouvelle technologie C3M en carbure de silicium (SiC)
Tension d'isolement drain-source minimum de 1 000 V sur toute la plage de températures d'utilisation
Nouveau boîtier à faible impédance avec source de driver
8 mm de fuite/dégagement entre le drain et la source
Commutation haute vitesse avec une faible capacité de sortie
Tension de claquage élevée avec une faible résistance drain-source à l'état passant
Résiste aux avalanches
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse
MOSFET Transistors, Cree Inc.
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€ 443,75
€ 17,75 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
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Paquet de production (Tube)
25
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 25 - 74 | € 17,75 |
| 75 - 149 | € 17,27 |
| 150+ | € 16,86 |
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N
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35 A
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Série
C3M
Type de conditionnement
TO247-4
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
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-8 V, +19 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
SiC
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1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
4.8V
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Tension d'isolement drain-source minimum de 1 000 V sur toute la plage de températures d'utilisation
Nouveau boîtier à faible impédance avec source de driver
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