MOSFET DiodesZetex canal N/P, DPAK (TO-252) 9,3 A, 9,6 A 35 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
9.3 A, 9.6 A
Tension Drain Source maximum
35 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V, 19,2 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 739,84
€ 0,296 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
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Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V, 19,2 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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