Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ -T2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,012 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 12,74
€ 0,637 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Standard
20
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InfineonType de canal
N
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50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ -T2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,012 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si