Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolMOS™ C7
Type de conditionnement
ThinPAK 8 x 8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
195 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 5,00
€ 1,00 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 5,00
€ 1,00 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolMOS™ C7
Type de conditionnement
ThinPAK 8 x 8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
195 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si