MOSFET Microchip canal P, TO-92 175 mA 40 V, 3 broches

N° de stock RS: 879-3270Marque: MicrochipN° de pièce Mfr: TP2104N3-GDistrelec Article No.: 30302162
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

175 mA

Tension Drain Source maximum

40 V

Type de conditionnement

TO-92

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

740 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.06mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.08mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

5.33mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

2V

Détails du produit

Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex

La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

MOSFET Transistors, Microchip

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Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

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Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.06mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

5.08mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

5.33mm

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