MOSFET onsemi canal P, D2PAK (TO-263) 100 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Type d'emballage
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
280 nC @ 10 V
Largeur
9.2mm
Matériau du transistor
Si
Taille
4.5mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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P
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
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Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
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Configuration du transistor
Single
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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