Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.19mm
Longueur
5.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Hauteur
5.33mm
Pays d'origine
China
€ 192,56
€ 0,096 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
€ 192,56
€ 0,096 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
2000 - 4000 | € 0,096 | € 192,56 |
6000 - 8000 | € 0,094 | € 187,56 |
10000+ | € 0,091 | € 182,93 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.19mm
Longueur
5.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Hauteur
5.33mm
Pays d'origine
China