Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
44 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
312 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.65mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
4.83mm
Pays d'origine
China
Prix sur demande
Each (On a Reel of 1600) (hors TVA)
1600
Prix sur demande
Each (On a Reel of 1600) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1600
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
44 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
312 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.65mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
4.83mm
Pays d'origine
China


