Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
NTH
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0.11 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 122,77
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
€ 122,77
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Paquet de production (Tube)
20
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N
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29 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
NTH
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0.11 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC