Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
163 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
NVD5C434N
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
117 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
80,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.38mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,21
€ 2,607 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 5,21
€ 2,607 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 18 | € 2,607 | € 5,21 |
20 - 198 | € 2,248 | € 4,50 |
200 - 998 | € 1,948 | € 3,90 |
1000+ | € 1,711 | € 3,42 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
163 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
NVD5C434N
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
117 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
80,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.38mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit