MOSFET onsemi canal N, DFN 316 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
316 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
166 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
86 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.95mm
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 7 309,28
€ 2,436 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
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166 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
86 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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