MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerSO 5 A 40 V, 10 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
PowerSO
Type de montage
CMS
Nombre de broche
10
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
73 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
9.6mm
Température d'utilisation maximum
+165 °C
Taille
3.6mm
Gain en puissance typique
14 dB
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 32,87
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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5V
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2V
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±20 V
Largeur
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Si
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1
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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Gain en puissance typique
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