MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 792-5697PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB100N10F7
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

80 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Série

STripFET H7

Type d'emballage

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

61 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Matériau du transistor

Si

Largeur

9.35mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.6mm

Détails du produit

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 81,25

€ 3,25 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 45€ 3,25€ 16,25
50 - 120€ 2,924€ 14,62
125 - 245€ 2,632€ 13,16
250+€ 2,498€ 12,49

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Série

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

61 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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Matériau du transistor

Si

Largeur

9.35mm

Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

4.6mm

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